德国Novocontrol Novocontrol GmbH宽频介电和阻抗谱仪
德国Novocontrol Novocontrol GmbH宽频介电和阻抗谱仪，NOVOCONTROL介电阻抗谱仪具有很宽的频率范围（3μHz~3GHz），很高的分辨率（分辨率可达10-5），能灵敏地测量比较低电导率和比较低损耗的材料。
NOVOCONTROL介电阻抗谱仪具有很宽的频率范围（3μHz~3GHz），很高的分辨率（分辨率可达10-5），能灵敏地测量比较低电导率和比较低损耗的材料。 并且测量的样品材料，不但包含各种固体、薄膜，甚至可以测量液体和粉末等材料的介电特性。全自动的软件控制，以及多种温度控制模式的设计，使得Novocontrol介电阻抗谱仪成为科研单位以及企业*佳的介电分析工具。目前，NOVOCONTROL已拥有200多家国际*企业和研究所为其用户。
■ 极宽的频率测量范围：3μHz ~ 3GHz
■ 极宽的阻抗范围：10mΩ ~ 100TΩ
■ 测量精度高，损耗因数（tan(δ)）可达到 3×10-5
■ 多种温控系统供选择，控温精度可达 ± 0.01℃，
温度范围：*低可达 - 160℃，*高可达 1600℃
■ 功能强大的全自动在线控制测量软件，可测 30 多种参数，并可
在线显示为 2D/3D 曲线
■ 可测量多种类型样品：固体、薄膜、液体、粉末等
■ 多种特殊功能模块可供选择。如：热激励去极化电流（TSDC）
测量模块、HVB 高压发生器（电压*高可达 ± 2000VAC/VDC）、
电化学测量模块等
常用系统：
频率/Hz
温度/℃
3μ~300K
3μ~3M
3μ~20M
3μ~40M
1M～3G
3μ~3G
常温
BDS 10
BDS 20
BDS40
BDS50
BDS70
BDS80
-160～+400
Concept 10
Concept 20
Concept 40
Concept 50
Concept 70
Concept 80
-100～+250
Concept 11
Concept 21
Concept 41
Concept 51
Concept 71
Concept 81
室温～+400
Concept 12
Concept 22
Concept 42
Concept 52
Concept 72
Concept 82
高温测量系统：
温度/℃
频率/Hz
3μ~1M
室温～1200
Concept 43
室温～1400
Concept 44
室温～1600
Concept 45
测量图例 3：难溶药物 SSR 的无定形（a）和晶体（b）的损耗角正切 tan(δ)随温度和频率的变化。样品电容分别为 1pF（晶体）和 3pF（无定形）。数据来源： Sanofi-Synthelabo Research, AnalyticalScience Department, France
| Novocontrol GmbH可测量参数： | ||
 /
|
Permitivity' repermittivity (dielectric measurement only) | 介电常数实部 |
| ε" | Permitivity"impermittivity(dielectric measurement only) | 介电常数虚部 |
| le|l | Permitivity I absolute value permittivity(dielectric measurement only) | 绝对值 |
| σ' | Conductivity'respecific conductivity (dielectric measurement only) | 电导率实部 |
| σ" | Conductivity " imspecific conductivity(dielectric measurement only) | 电导率虚部 |
| lo| | l Conductivity I absolute value conductivity (dielectric measurement only) | 绝对值 |
| p | Specific Resistance =(dielectric measurement only) | 电阻率 |
| tan(δ) | (=D)Tan(Delta)loss factor (quality factor) | 损耗因数 |
| δ | Delta loss angle | 损耗角 |
| tan(φ) | (=Q)Tan(Phu)phase factor (quality factor) | 品质因数 |
| φ | Phi phase angle | 相角 |
| Cp' | Capacity Cp'reparallel capacity | 并联电容实部 |
| Cp" | Capacity Cp"imparallel capacity | 并联电容虚部 |
| Cs' | Capacity Cs'reserial capacity | 串联电容实部 |
| Cs " | Capacity Cs"imserial capacity | 串联电容实部 |
| |C | | l Capacity C|absolute value parallel capacity | 并联电容绝对值 |
| Zp' | Impedance Zp'reparallel impedance | 并联阻抗实部 |
| Zp" | Impedance Zp"imparallel impedance | 并联阻抗虚部 |
| Zs' | Impedance Zp'reserial impedance | 串联阻抗实部 |
| Zs" | Impedance Zs"imserial impedance | 串联阻抗虚部 |
| |Z I | l Impedance Z I absolute value serial impedance | 并联电容绝对值 |
| Yp' | (=G)Admittance Yp'reparallel admitance(conductance) | 并联导纳实部 |
| Yp" | (=G)Admitance Yp"imparallel admittance(susceptance) | 并联导纳实部 |
| Ys' | Admittance Ys'reserial admittance | 串联导纳实部 |
| Ys" | Admittance Ys"imserial admittance | 串联导纳实部 |
| |Y I | |Adimitance Y I absolute value parallel admittance | 并联导纳绝对值 |
| Lp' | Inductivity Lp' reparallel Inductivity | 并联电感实部 |
| Lp" | Inductivity Lp"Imparallel Inductivity | 并联电感虚部 |
| Ls' | Inductivity Ls' reserial Inductivity | 串联电感实部 |
| Ls " | Inductivity Ls" imserial Inductivity | 串联电感虚部 |
| |L l | l Inductivity L I absolute value serial Inductivity | 串联电感绝对值 |
